特許
J-GLOBAL ID：200903003185267975
光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-256940
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088296
出願日： 2007年09月29日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】優れた光電変換効率と安定性とを両立し、さらに耐久性に優れ、安価な光電変換材料用半導体ならびに光電変換素子と、この光電変換材料用半導体及び光電変換素子を用いた太陽電池を提供する。【解決手段】酸化チタン等の金属酸化物もしくは金属硫化物半導体の表面に有機色素化合物を吸着させ、半導体を分光増感させた光電変換材料用半導体を含有する感光層2と電荷移動層3を導電性支持体1と対向電極4の間に設けた太陽電池。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表される化合物が半導体表面に吸着されていることを特徴とする光電変換材料用半導体。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, H01M 14/00
, H01L 31/08
H01L31/04 Z
, H01M14/00 P
, H01L31/08 Z
5F051AA14
, 5F051AA20
, 5F051FA02
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5F088AA20
, 5F088AB01
, 5F088BA10
, 5F088BB05
, 5F088LA01
, 5F088LA03
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032EE04
, 5H032EE16
, 5H032EE20
, 5H032HH01
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (9件)
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