特許

J-GLOBAL ID：200903003185572611

トレンチ分離構造の形成方法および半導体装置

発明者： 熊本 景太
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-093056
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289683
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 素子の微細化に好適であり、トレンチ構造の縁に溝が形成されないようにし、優れた素子特性を発揮させ得るトレンチ分離構造の形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に窒化膜を含むマスク層を形成し、前記マスク層に所定の開口パターンを形成する工程と、前記マスク層をマスクとして前記半導体基板の露出部分をエッチングしてトレンチを形成する工程と、前記トレンチ内壁に熱酸化膜を形成する工程と、前記半導体基板主面の全体にエッチング障壁用絶縁膜を形成する工程と、前記エッチング障壁用絶縁膜上に窒化膜ライナーを形成する工程と、前記トレンチを埋め込むように埋込絶縁膜を形成する工程と、前記マスク層の窒化膜が露出するように平坦化処理する工程と、前記マスク層を等方性エッチングにより除去する工程を実施する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1耐酸化性絶縁膜を含むマスク層を形成し、前記マスク層に所定の開口パターンを形成する工程と、少なくとも前記マスク層をマスクとして前記半導体基板の露出部分をエッチングしてトレンチを形成する工程と、前記トレンチ内壁に第1絶縁膜を形成する工程と、前記半導体基板主面の全体に第2耐酸化性絶縁膜を形成する工程と、前記トレンチを埋め込むように第2絶縁膜を形成する工程と、前記マスク層の第1耐酸化性絶縁膜が露出するように平坦化処理する工程と、前記第1及び第2耐酸化性絶縁膜をエッチングする工程を有するトレンチ分離構造の形成方法であって、前記第2耐酸化性絶縁膜の形成前において、少なくとも前記マスク層の開口内壁面に、前記エッチングに対するエッチング障壁膜を形成し、前記第2耐酸化性絶縁膜は前記エッチング障壁膜を覆うように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (6件)：

H01L 21/314 M ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/306 D

Fターム (34件)：

5F032AA34 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA54 ,  5F032AA69 ,  5F032DA01 ,  5F032DA02 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA22 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA26 ,  5F032DA28 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA34 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F043AA31 ,  5F043AA35 ,  5F043DD16 ,  5F043FF01 ,  5F043GG05 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF01 ,  5F058BF04 ,  5F058BF25 ,  5F058BF52 ,  5F058BH10 ,  5F058BJ06