2次元アレイ型検出装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉谷勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251206
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077341
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】検出感度および空間分解能を改善する。【解決手段】ガラス基板3に共通電極4およびp型低抵抗半導体膜5を介して積層形成されたp型高比抵抗感応半導体膜6に、さらに感応半導体膜6とそれぞれヘトロ接合をなす接合用半導体膜7が2次元アレイ配列に対応して区画形成されてなる構成を備えており、ガラス基板3の共通電極非形成側から入射した光または放射線によってp型高比抵抗感応半導体膜6に直接変換方式で生成したキャリアの漏れ・広がりが抑えられ、キャリアは生成位置に近い各個別電極8によって素子別収集されるので、検出感度・空間分解能が改善される。つまり、ダイナミックレンジが大きくてクロストークが少なくなる。

請求項（抜粋）：

支持基板の表面に形成された共通電極と、共通電極の表面側に積層形成されているとともに検出対象の光または放射線に感応してキャリアを生成する感応半導体膜と、感応半導体膜の表面に2次元アレイ配列に対応して区画形成されているとともに感応半導体膜とヘテロ接合をなす接合用半導体膜と、各接合用半導体膜の表面にそれぞれ形成された個別電極とを具備している検出側基板と、検出側基板における2次元アレイ配列に対応する配列で多数個の生成キャリア蓄積・読み出し用の素子が回路基板の上に設けられてなる読み出し側基板とが、各読み出し用の素子が各個別電極と電気的に接続されるようにして合体されているとともに、支持基板の共通電極非形成側より光または放射線が入射する構成となっていることを特徴とする2次元アレイ型検出装置。

Fターム (12件)：

4M118AA01 , 4M118AA02 , 4M118AB01 , 4M118BA04 , 4M118BA05 , 4M118CA15 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB23 , 4M118GA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

放射線検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-335071 出願人：浜松ホトニクス株式会社
特開昭62-022474

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