特許

J-GLOBAL ID：200903003190146809

半導体装置の製造方法

発明者： 堤 聡明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-154316
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004139
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 配線を凹部に埋め込むために、配線の信頼性が低下するという問題点があった。【解決手段】 コンタクトホール20を有する層間絶縁膜19上に、Alに不純物が含んで成る第1の金属膜22を積層し、第1の金属膜22を加熱し、コンタクトホール20内に第1の金属膜22aを埋め込み、第1の金属膜22a上に、Al膜から成る第2の金属膜23を積層し、第1および第2の金属膜22a、23を加熱し不純物を拡散させ、第1および第2の金属膜22a、23中の不純物の濃度を同一にし第3の金属膜24とする。

請求項（抜粋）：

凹部を有する層間絶縁膜上に、AlにAlと共晶反応を有する元素が含んで成る第1の金属膜を積層する工程と、上記第1の金属膜を加熱し、上記凹部内に上記第1の金属膜を埋め込む工程と、上記第1の金属膜上に、Alに上記第1の金属膜中に含まれた上記元素の濃度より低い濃度の上記元素が含まれるか、又は、含まれない第2の金属膜を積層する工程と、上記第1および第2の金属膜を加熱し上記元素を拡散させ、上記第1および第2の金属膜中の上記元素の濃度を同一にし第3の金属膜とする工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N