スパッタリング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-051327
公開番号（公開出願番号）：特開平9-241842
出願日： 1996年03月08日
公開日（公表日）： 1997年09月16日
要約：

【要約】【課題】アスペクト比の高い孔内を、十分良好な埋込特性で埋め込み、接続孔部における信頼性を向上させる。【解決手段】最稠密原子配列方向がほぼ揃ったターゲットを用い、ターゲットの全面から均一に原子を射出するようにして基板上のどの位置でも垂直入射成分の多い原子束が基板表面上に到達して堆積されるようにする。

請求項（抜粋）：

真空容器内に配置されたターゲットにイオンを照射して、上記真空容器内に置かれた基板表面の所定領域上に、上記ターゲットを構成する材料を堆積する方法において、上記堆積は、上記ターゲットの少なくとも上記基板に対向する領域から実質的に均一に、上記ターゲットから射出された原子を、上記所定領域に入射させることによって行われることを特徴とするスパッタリング方法。

IPC (3件)：

C23C 14/46 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/46 C , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

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