特許

J-GLOBAL ID：200903003200498032

液晶用絶縁膜及びその形成方法

発明者： 大石 知司 ,  前川 幸子 ,  加藤 明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235950
公開番号（公開出願番号）：特開平5-072521
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】高性能、高画質な液晶パネルの開発を目的として、透明電極上に形成する良質な絶縁膜及びその低温での製造方法を提供する。【構成】液晶パネルの透明電極上に形成される無機絶縁膜の形成方法において、ゾルゲル法により印刷塗布用の溶液を作成し、350°C以下の温度で熱処理して膜を形成する。この時、光照射を加味してより低温で薄膜を得ることができる。また、同時にオゾンを発生させて処理するとより組成の均一な薄膜が得られる。【効果】本手法を用いると従来よりも低い温度で液晶用絶縁膜を作製することができる。また、二成分系絶縁膜では、両者が均一に分散した膜が得られる。このため画素ムラもなく良好な画質の液晶パネルが得られる。

請求項（抜粋）：

液晶を封入する基板の内側に形成された透明電極間の短絡を防止する絶縁膜であって、酸化ケイ素,酸化チタンからなり、前記透明電極と屈折率が一致し、赤外吸収スペクトルにおいてSi-O-Ti/Si-O-SiとSi-O-Ti/Ti-O-Tiとのピ-ク面積強度比がそれぞれ0.14,1.30以上であることを特徴とする液晶用絶縁膜。

IPC (4件)：

G02F 1/1333 505 ,  C23C 18/12 ,  C23C 18/14 ,  C23C 30/00