加工方法及びその装置並びに半導体基板の加工方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-081670
公開番号（公開出願番号）：特開2000-271854
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
要約：

【要約】【課題】CMP等の研磨において、被加工面内における研磨率の均一化と面内平均研磨率の安定化、及びスクラッチの低減をはかった加工方法およびその装置並びに半導体基板の加工方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、研磨パッドの平坦度を計測する平坦度計測手段40、研磨パッドの面粗さを計測する面粗さ計測手段50、研磨パッドの表面に供給散布される遊離砥粒についての被加工物の被加工面内における分布または量を計測する遊離砥粒計測手段60、および研磨パッドの弾性率または気泡率を計測する計測手段70、80を備えたCMP等の加工装置およびその方法である。

請求項（抜粋）：

定盤上に載置された研磨パッドの平坦度を計測する平坦度計測工程と、該平坦度計測工程で計測された研磨パッドの平坦度に応じてドレッサーの運動を制御して上記研磨パッドをドレッシングするドレッシング工程と、該ドレッシング工程でドレッシングされた研磨パッドに対して、被加工物の被加工面を、研磨パッドの表面に供給散布された遊離砥粒を介在させて押し付け、上記被加工物と上記研磨パッドとの間で相対的に擦らせる運動をさせて被加工物の被加工面を平坦に研磨する加工工程とを有することを特徴とする加工方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (4件)：

B24B 37/00 A , B24B 37/00 K , H01L 21/304 622 M , H01L 21/304 622 R

Fターム (13件)：

3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058BA02 , 3C058BA07 , 3C058BA09 , 3C058BB02 , 3C058BB06 , 3C058BB08 , 3C058BB09 , 3C058CA01 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA02

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