特許
J-GLOBAL ID:200903003203339962
水素吸蔵合金電極及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西岡 伸泰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-269574
公開番号(公開出願番号):特開2001-093520
出願日: 1999年09月22日
公開日(公表日): 2001年04月06日
要約:
【要約】【課題】 従来よりも高い高率放電特性が得られる水素吸蔵合金電極を提供する。【解決手段】 本発明の水素吸蔵合金電極は、芯体3の表面に、水素吸蔵合金粉末を含む電極材料混合層4を形成して構成されるものであって、芯体3は、パンチングメタル31と、該パンチングメタル31の表面に形成された粗面層33とから構成される。粗面層33は、表面に凹凸が形成されて、パンチングメタル31の表面積の1.2倍以上の表面積を有している。
請求項(抜粋):
芯体(3)の表面に、水素吸蔵合金粉末を含む電極材料混合層(4)を形成してなる水素吸蔵合金電極において、芯体(3)は、導電性基体と、該導電性基体の表面に形成された粗面層(33)とから構成され、粗面層(33)は、表面に凹凸が形成されて、導電性基体の表面積の1.2倍以上の表面積を有していることを特徴とする水素吸蔵合金電極。
IPC (5件):
H01M 4/24
, H01M 4/26
, H01M 4/66
, H01M 4/70
, H01M 10/30
FI (5件):
H01M 4/24 J
, H01M 4/26 J
, H01M 4/66 A
, H01M 4/70 Z
, H01M 10/30 Z
Fターム (28件):
5H016AA05
, 5H016BB00
, 5H016BB09
, 5H016CC00
, 5H016CC07
, 5H016EE01
, 5H016HH01
, 5H016HH06
, 5H016HH13
, 5H017AA02
, 5H017AS02
, 5H017BB00
, 5H017BB06
, 5H017BB08
, 5H017CC01
, 5H017DD01
, 5H017DD05
, 5H017EE01
, 5H017EE04
, 5H017HH01
, 5H017HH03
, 5H017HH04
, 5H028BB00
, 5H028CC07
, 5H028CC12
, 5H028EE01
, 5H028HH01
, 5H028HH05
引用特許:
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