特許

J-GLOBAL ID：200903003208420750

銅を主体とする配線の形成方法

発明者： 山野辺 智美 ,  五十嵐 泰史
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-322211
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181147
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 高温度でエッチングしても膜剥れを起こさない銅を主体とする配線の形成方法を提供する。【構成】 下地13上に下側バリア金属膜16、銅膜18、及び上側バリア金属膜20を含む銅配線予備層23を形成した後、この銅配線予備層23と下地13とを含む構造体に対して、銅の再結晶化温度よりも高い温度で、アニール処理を行う。

請求項（抜粋）：

下地上に下側バリア金属膜、銅膜及び上側バリア金属膜を含む銅配線予備層を形成した後、該銅配線予備層を前記上側バリア金属膜から前記下地面が露出するまでエッチングして銅を主体とする配線を形成する方法において、前記下地上に前記銅配線予備層を形成した後、該銅配線予備層と前記下地とを含む構造体に対して、銅の再結晶化温度よりも高い温度で、アニール処理を行うことを特徴とする銅を主体とする配線の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 R