特許

J-GLOBAL ID：200903003209475426

層状超伝導単結晶で構成した電子デバイス

発明者： 山下 努 ,  立木 昌 ,  千葉 幸正
出願人/特許権者： 株式会社オプテックス
代理人 (1件)： 古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055544
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250776
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 本発明は酸化物を利用した高温超伝導単結晶による電子デバイスに関し、超伝導単結晶のうち層状の物を使用し、THz帯電磁波に対し損失が少なく動作できる電子デバイスを提供することを目的とする。【構成】 層状超伝導単結晶1の第1層平坦部に接して設けた信号入力手段2と、層状超伝導単結晶の各層積層部分の一方端に接して設けた電磁波出力手段3と、で構成している。

請求項（抜粋）：

層状超伝導単結晶の第1層平坦部に接して設けた信号入力手段と、層状超伝導単結晶の各層積層部分の一方端に接して設けた電磁波出力手段と、で構成したことを特徴とする層状超伝導単結晶で構成した電子デバイス。

IPC (4件)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/22 ,  G01R 1/28 ,  G01R 33/035 ZAA

FI (4件)：

H01L 39/22 ZAA A ,  H01L 39/22 ZAA G ,  G01R 1/28 ,  G01R 33/035 ZAA