特許
J-GLOBAL ID：200903003212160240
含窒素複素環化合物の電解フッ素化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
森 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-092222
公開番号（公開出願番号）：特開2002-285370
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：
【要約】【課題】 高収率及び高選択率で含窒素複素環化合物をフッ素化して所望のフッ素化生成物を得る。【解決手段】 電子吸引基を置換基として有する基質であるN-置換ピロール誘導体をフッ素化原料でフッ素化する。使用する基質、電子吸引基、及び温度条件等で得られるフッ素化生成物及びその組成が変化する。従って適切に生成条件設定を行うと所定の化学構造を有するフッ素化組成物が得られる。
請求項（抜粋）：
含窒素複素環化合物をフッ素化原料とともに溶媒に溶解して電解液を調製し、該電解液を電解槽中で電解して、前記含窒素複素環化合物の一部の水素をフッ素で置換することを特徴とする含窒素複素環化合物の電解フッ素化方法。
Fターム (2件)：
引用特許：
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