特許
J-GLOBAL ID：200903003214898378
フラッシュ・メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平戸 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207102
公開番号（公開出願番号）：特開平8-077784
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】フラッシュ・メモリに関し、消去ベリファイの回数を減らし、消去に要する時間を短くする。【構成】消去時、メモリセルのソースに流れ込む消去電流IAの電流値が参照電流IBの電流値以下になったと判断されるまでは消去ベリファイを行わず、メモリセルのソースに対する消去電圧の印加を繰り返して行い、メモリセルのソースに流れ込む消去電流IAの電流値が参照電流IBの電流値以下になったと判断される場合には、メモリセルのソースに対する消去パルスの印加と、消去ベリファイとを繰り返して行う。
請求項（抜粋）：
消去モード時、消去が一定程度進行するまでは、消去ベリファイを行わず、メモリセルのソースに対する消去電圧の印加を繰り返して行い、消去が一定程度進行した後は、前記メモリセルのソースに対する消去電圧の印加と、消去ベリファイとを繰り返して行うように、消去動作及び消去ベリファイ動作を制御する制御回路を備えて構成されていることを特徴とするフラッシュ・メモリ。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G11C 29/00 303
