特許
J-GLOBAL ID：200903003219266795
光電子集積回路およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-222122
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065144
出願日： 1996年08月23日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 面発光レーザとヘテロ接合バイポーラトランジスタからなる光電子集積回路において、高速で面発光レーザを駆動する構造を提供する。【解決手段】 面発光レーザ150とヘテロ接合バイポーラトランジスタ151とから構成される光電子集積回路において、コレクタ層105の周縁部に高抵抗層110を設けている。これにより、ベース・コレクタ接合面積を低減し、電流遮断周波数を向上させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板上に被着された半導体多層膜を有する垂直共振器型面発光レーザと、該半導体基板上に被着された半導体多層膜を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタとを備えた光電子集積回路において、該ヘテロ接合バイポーラトランジスタの一部であるコレクタ層の周縁部が高抵抗化されている光電子集積回路。
IPC (4件)：
H01L 27/15
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01S 3/18
H01L 27/15 B
, H01S 3/18
, H01L 29/72
