窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法

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出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-238119
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100807
出願日： 1990年02月28日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【目的】電子濃度を制御したN型のGaN 系の化合物半導体を得ることで、発光素子の発光効率を改善する。【構成】サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2が形成され、その上に順に、膜厚約2.2 μm, シリコンドープされた電子濃度1.5 ×1018/cm3のGaNの高キャリア濃度N+ 層3、膜厚約1.5 μm, 電子濃度 1×1015/cm3以下のGaNの低キャリア濃度N層4、膜厚約0.2 μmのGaN から成るI層5が形成されている。I層5と高キャリア濃度N+ 層3には、それぞれに接続する、アルミニウムで形成された電極7と電極8とが形成されている。高キャリア濃度N+ 層3の抵抗率(=1/導電率)は、3 ×10-1Ωcmから 8×10-3Ωcmまで変化させることができる。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法によりバッファ層を形成し、そのバッファ層の形成されたサファイア基板を用いて、有機金属化合物気相成長法により、シリコンを含むガスを他の原料ガスと同時に流し、前記シリコンを含むガスと前記他の原料ガスとの混合比率を制御することにより、シリコン濃度の増加に対して導電率(1/抵抗率)が単調増加する範囲内において、導電率の制御されたn型窒化ガリウム半導体から成る高キャリア濃度層を形成する工程と、n型窒化ガリウム半導体から成る低キャリア濃度層を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

Fターム (29件)：

5F041AA03 , 5F041CA02 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA74 , 5F041CA83 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD08 , 5F045AD13 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045CA11 , 5F045CB10 , 5F045DA53 , 5F045DA58 , 5F045DA60 , 5F045DA62 , 5F045EB13 , 5F045EB15 , 5F045EE12 , 5F045HA13 , 5F045HA14

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-252175
特開昭63-188938
特開昭60-173829

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