特許
J-GLOBAL ID：200903003220357699

半導体集積回路装置

発明者：
井口 大介

井口 大介 について

, 
大塚 寛治

大塚 寛治 について

, 
秋山 豊

秋山 豊 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (2件)： 平田 忠雄 ,  遠藤 和光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-118956
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277521
出願日： 2007年04月27日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】三次元に集積された半導体回路素子間の電気的な結合を有線接続によらず簡単な構成により得られるようにした半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】半導体集積回路装置100は、同一面上に平行に配置された所定の長さで帯状の一対の第1の差動伝送線路12A,12B、及び第1の差動伝送線路12A,12Bへ差動信号を出力する差動信号送信素子11を備えた第1の半導体集積回路素子1に対し、第1の差動伝送線路12A,12Bに対向かつ重なるように配置された一対の第2の差動伝送線路22A,22B及び第2の差動伝送線路22A,22Bの一端に接続された差動信号受信素子21を備えた第2の差動伝送線路22A,22Bを備えた第2の半導体集積回路素子2が誘電体4を介して積層されている。第1の差動伝送線路12A,12Bに信号が流れると、容量性結合を主として第2の差動伝送線路22A,22Bへ信号が伝送される。【選択図】図1
請求項１：
差動信号送信素子及び前記差動信号送信素子からの信号を伝送すると共に同一平面上に配設された一対の第1の差動伝送線路を備えた第1の半導体集積回路素子と、 前記一対の第1の差動伝送線路と互いに容量性結合および誘導性結合による結合線路系をなすように前記一対の第1の差動伝送線路に所定の距離を有して平行に対向配置された一対の第2の差動伝送線路、及び前記一対の第1の差動伝送線路に流れる電流と同一方向に電流が流れる前記一対の第2の差動伝送線路の終端に接続された差動信号受信素子を備えると共に前記第1の半導体集積回路素子に積層された第2の半導体集積回路素子と、 を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (3件)：
H01L27/04 E ,  H01L27/04 F ,  H01L27/04 D
Fターム (13件)：
5F038AZ01 ,  5F038AZ06 ,  5F038BB06 ,  5F038BE07 ,  5F038BE08 ,  5F038BG02 ,  5F038BG04 ,  5F038CA07 ,  5F038CA12 ,  5F038CA16 ,  5F038CD05 ,  5F038EZ07 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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