特許

J-GLOBAL ID：200903003223457600

レジスト膜作製方法

発明者： 石丸 昌晃
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255236
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094982
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板(1)上に形成された窒化珪素膜(2)をアシル化剤あるいはアルキル化剤を用いて表面処理したのち、窒化珪素膜(2)上に側鎖としてカルボキシル基を有するレジスト(3)を塗布し、150°C以上の温度で熱処理するレジスト膜作製方法。【効果】 窒化珪素膜(2)表面のイミノ基、あるいはアミノ基をアシル化、あるいはアルキル化により疎水化して、レジスト(3)のカルボキシル基に対する反応性を低下させ、窒化珪素膜(2)とレジスト(3)との結合を減少させることができる。つまり、露光及び現像後のレジスト(3)の開口部底面での不溶化したレジスト膜(3a)の生成を減少させることができる。従って、レジストパターンの精度を向上させて微細なレジストパターンを形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された窒化珪素膜をアシル化剤あるいはアルキル化剤を用いて表面処理したのち、窒化珪素膜上に側鎖としてカルボキシル基を有するレジストを塗布し、150°C以上の温度で熱処理することを特徴とするレジスト膜作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 361 F ,  H01L 21/30 361 A