特許

J-GLOBAL ID：200903003224840432

CVD装置及びCVD装置における成膜後の後処理工程を行う方法

発明者： 徐 舸
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 正次 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-066666
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273094
出願日： 2002年03月12日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 成膜中の基板が直接プラズマに晒されることを防止し、成膜中における材料ガスのプラズマ生成空間への逆拡散を防止できるだけでなく、プラズマ生成空間と成膜処理空間との間のコンダクタンスを適切に調節可能で、成膜後の十分なプラズマを必要とする後処理工程にも十分対応可能なCVD装置及びCVD装置における成膜後の後処理工程を行う方法を提供する。【解決手段】 導電性隔壁板の複数の隔壁板貫通孔が存在している位置に対応して遮蔽板貫通孔、拡散孔が存在している位置に対応して空孔をそれぞれ備えている遮蔽板を、隔壁板に対して離接可能に成膜処理空間側に配置し、遮蔽板を隔壁板に密着させる。あるいは遮蔽板を隔壁板から離すことによって、プラズマ生成空間と成膜処理空間との間のコンダクタンスを調整可能とする。

請求項（抜粋）：

真空容器内でプラズマを生成して励起活性種を発生させ、この活性種と材料ガスとで基板に成膜を行うCVD装置であって前記真空容器内部が導電性隔壁板によって二室に隔離されており、当該隔離された二室のうち、一方の室の内部は高周波電極が配置されたプラズマ生成空間として、他方の室の内部は前記基板を搭載する基板保持機構が配置された成膜処理空間としてそれぞれ形成され、前記隔壁板は、前記プラズマ生成空間と前記成膜処理空間とを通じさせる複数の隔壁板貫通孔を有していると共に、前記プラズマ生成空間から隔離されかつ前記成膜処理空間と複数の拡散孔を介して通じている内部空間を有し、当該内部空間に外部から前記材料ガスが供給され、これが前記複数の拡散孔を通して前記成膜処理空間に導入されると共に、前記高周波電極に高周波電力を与えて前記プラズマ生成空間でプラズマ放電を発生させることにより前記プラズマ生成空間で生成された前記活性種が、前記隔壁板の複数の隔壁板貫通孔を通して前記成膜処理空間に導入され、前記成膜処理空間において導入された前記活性種と材料ガスとで基板に成膜が行われるCVD装置において、前記隔壁板に対して離接自在な遮蔽板が成膜処理空間側に配置されていることを特徴とするCVD装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/205

Fターム (18件)：

5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AF07 ,  5F045AF11 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EF17 ,  5F045EH04 ,  5F045EH14 ,  5F045EH18 ,  5F045EK05 ,  5F045EM10