特許
J-GLOBAL ID：200903003228113527

ダイヤモンド積層シリコンウエハ及びその製造方法

発明者：
橘 武史

橘 武史 について

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横田 嘉宏

横田 嘉宏 について

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林 和志

林 和志 について

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川上 信之

川上 信之 について

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小橋 宏司

小橋 宏司 について


出願人/特許権者：
株式会社神戸製鋼所

株式会社神戸製鋼所 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-223251
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041433
出願日： 2004年07月30日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 シリコンウエハの表面上の一部又は全域に形成された酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜からなる電気的絶縁膜の上に、ダイヤモンド膜が、高密着性で、かつ低コストで気相合成されたダイヤモンド積層シリコンウエハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンウエハ(半導体シリコン基板10)の表面の全域又は一部の領域上に、酸化シリコン又は窒化シリコンからなる電気的絶縁膜11、13を形成し、電気的絶縁膜上又はシリコンウエハ及び電気的絶縁膜上にダイヤモンド膜12、14をマイクロ波化学気相成長法により成膜する。マイクロ波化学気相成長法によるダイヤモンド膜の成膜条件は、マイクロ波投入電力密度がシリコンウエハ表面の単位面積当たり3乃至10kJ/mm2、総投入量が50MJ以上である。【選択図】 図1
請求項１：
シリコンウエハと、このシリコンウエハの表面の一部又は全部の上に形成された酸化シリコン又は窒化シリコンからなる電気的絶縁膜と、この電気的絶縁膜の表面上にマイクロ波化学気相成長法により直接成膜されたダイヤモンド薄膜と、を有することを特徴とするダイヤモンド積層シリコンウエハ。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 27/12
FI (2件)：
H01L21/205 ,  H01L27/12 P
Fターム (9件)：
5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC08 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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