特許
J-GLOBAL ID：200903003230555820
イオン打込装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-110214
公開番号（公開出願番号）：特開平6-325724
出願日： 1993年05月12日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】半導体製造に関するイオン打込装置において、イオンビームをウェハに打込む際発生する静電気によるウェハ上のパターン破壊を、電子検出器を設けこの情報により電子照射装置を良好に制御させることにより防止し、半導体デバイスの歩留りを向上させること。【構成】反射2次電子量を検出しこれにより帯電状態及び帯電分布を画像化し監視するとともに、これらの情報により電子照射制御装置を良好に動作させ電子照射量を適切にコントロールし、ウェハ上の帯電を防止する。【効果】ウェハ上の帯電状態や帯電分布を色別画像化し、また、各ウェハ毎の帯電状態を画面で比較監視できるので、帯電に対する処理対応が容易である。また安定したウェハ上の帯電防止が可能である。
請求項（抜粋）：
複数の被イオン打込みウェハをその周囲に保持する回転円板と、このウェハ及びイオンビームに電子を照射する電子照射装置を備えた半導体製造装置としてのイオン打込装置に於いて、ウェハにイオンビーム及び電子を照射させる近傍に電子検出器を設け、イオンビーム及び電子を照射させた時発生する2次電子をこの電子検出器で検出し、これを検出電子量に対応させ、輝度または色調に区分して帯電状態及び帯電分布を一画面にウェハ1枚分または、複数枚分画像化し監視できると同時に、これらの情報を電子照射装置の制御装置にフィードバックし、電子照射装置のフィラメント電源,グリッド電源,アノード電源及び円板バイアス電源の各電圧をデバイスの種類に応じ制御装置にて制御を行い、また、これら各種の条件を制御装置にて記憶し、各種デバイス及びイオン打込み条件に合致した電子照射量を制御するように構成されたことを特徴とするイオン打込装置。
IPC (5件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01J 37/06
, H01J 37/22
, H01L 21/265
