特許

J-GLOBAL ID：200903003238203427

ポジ型ホトレジスト組成物

発明者： 細田 浩 ,  沼田 麗美 ,  土井 宏介 ,  徳竹 信生 ,  小原 秀克 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333936
公開番号（公開出願番号）：特開平7-199455
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【構成】 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物及び(C)一般式【化1】(R1、R2、R3はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜3のアルキル基又は炭素数1〜3のアルコキシ基、R4は水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基、a、b、cはそれぞれ1〜3の整数、l、m、nはそれぞれ1〜3の整数)で表わされる化合物の中から選ばれた少なくとも1種を含有するポジ型ホトレジスト組成物である。(C)成分の含有量は(A)成分に対し5〜50重量%が好ましい。【効果】 高解像性で、断面形状及び耐熱性に優れたレジストパターンを形成でき、かつ高感度で、しかも焦点深度幅特性に優れ、特に凹凸を有する基板や反射率の高い基板に用いて好適であり、中でもICやLSIなどの半導体デバイスの製造において、超微細加工用レジストとして好適。

請求項（抜粋）：

(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物及び(C)一般式【化1】(式中のR1、R2、R3はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜3のアルキル基又は炭素数1〜3のアルコキシ基、R4は水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基、a、b、cはそれぞれ1〜3の整数、l、m、nはそれぞれ1〜3の整数である)で表わされる化合物の中から選ばれた少なくとも1種を含有して成るポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027