特許

J-GLOBAL ID：200903003239288361

光電変換装置およびその製造方法

発明者： 板橋 政次
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (4件)： 宮崎 昭夫 ,  金田 暢之 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-150605
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356269
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】集光効率を向上し、受光感度の向上を図る。【解決手段】複数の光電変換素子を有する半導体基板1と、隣接する光電変換素子2間の素子分離領域3に対応して積層された第1のパターン層5と、第1のパターン層5を覆う絶縁層6と、絶縁層6上に素子分離領域3に対応して積層された第2のパターン層7と、第2のパターン層7を覆う酸化シリコン膜8およびSOG膜9と、SOG膜9に積層された下凸層内レンズ10とを備える。そして、SOG膜9によって、光電変換素子2側に向かって凸状をなす下凸層内レンズ10の界面が形成され、隣接する下凸層内レンズ10間に、下凸層内レンズ10の外周縁が接する接点が設けられる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の光電変換素子を有する半導体基板を有し、隣接する前記光電変換素子間の領域上に形成された複数のパターン層と、前記複数のパターン層をそれぞれ覆う複数の絶縁層と、前記絶縁層のうち最上部の前記パターン層を覆う絶縁層を覆うレンズ層とを備える光電変換装置において、 前記最上部のパターン層は、開口部側の側面に前記光電変換素子の受光面に直交する方向に対して傾斜された傾斜面が設けられたことを特徴とする光電変換装置。

IPC (3件)：

H01L27/14 ,  H01L31/0232 ,  H04N5/335

FI (3件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 U ,  H01L31/02 D

Fターム (39件)：

4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA09 ,  4M118CA32 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA28 ,  4M118GB03 ,  4M118GB15 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD06 ,  4M118GD07 ,  4M118GD20 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5F088AA02 ,  5F088AA03 ,  5F088AB02 ,  5F088BA01 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088CB05 ,  5F088CB14 ,  5F088CB18 ,  5F088DA17 ,  5F088EA04 ,  5F088HA05 ,  5F088HA10 ,  5F088HA12 ,  5F088HA20