特許

J-GLOBAL ID：200903003240321666

薄膜トランジスタ素子,アクティブマトリクス表示装置及びイメージセンサ

発明者： 嶋田 吉祐 ,  近藤 直文 ,  片岡 義晴 ,  永安 孝好 ,  片山 幹雄 ,  平田 貢祥
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249722
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104434
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】 スレッショルド電圧のシフトを抑制し、信頼性のある回路素子を得る。【構成】 ゲート絶縁膜を電子スピン密度が1015cm-3以下の絶縁膜で構成したアモルファス又はポリシリコン薄膜トランジスタ素子及びこの薄膜トランジスタ素子を駆動回路に内設したアクティブマトリクスを表示装置並びにイメージセンサ。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に載置されたアモルファス又はポリシリコン半導体層,ゲート電極,ゲート絶縁膜及びソース・ドレイン電極を具備する薄膜トランジスタポリシリコン素子において、前記ゲート絶縁膜に電子スピン密度が1015cm-3以下の絶縁膜を用いたことを特徴とする薄膜トランジスタ素子。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 27/14 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-009129