特許

J-GLOBAL ID：200903003241302584

研磨方法、研磨システムおよび工程管理システム

発明者： 鎌田 泰幸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-241996
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158108
出願日： 2002年08月22日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】 ウェハ上に堆積された被研磨膜の高度な平坦化が可能な研磨方法、研磨システムおよび工程管理システムを提供する。【解決手段】 ステップSt1で、研磨装置10の研磨レート分布および目標膜厚分布を設定する。ステッフ ゚St2で、ウェハ111上に堆積された被研磨膜の膜厚分布を測定する。ステッフ ゚St3で、測定した被研磨膜の膜厚分布と研磨レート分布とに基づいて研磨後の被研磨膜の予測膜厚分布を算出する。ステッフ ゚St4で、研磨後の被研磨膜の予測膜厚分布と目標膜厚分布とを比較する。ステッフ ゚St5で、ステッフ ゚St4での比較の結果から最適な条件(研磨時間およびウェハ111の領域ごとに対する最適な圧力値)を算出する。ステッフ ゚St6で、研磨装置10を最適な条件になるように制御する。ステッフ ゚St7で、ウェハ111の研磨を行なう。ステッフ ゚St8で、被研磨膜の膜厚分布を測定し、この測定結果とステッフ ゚St2での測定結果とから最新の研磨レート分布を算出する。次に、ステッフ ゚St1に戻って、設定されている研磨レート分布を最新の研磨レート分布に更新する。

請求項（抜粋）：

ウェハ上に堆積された被研磨膜を平坦化する研磨方法であって、ウェハ上に堆積された被研磨膜の研磨レート分布と、上記被研磨膜の研磨後の目標膜厚分布とを設定するステップ(a)と、上記被研磨膜の研磨前の膜厚分布を測定するステップ(b)と、上記研磨前の膜厚分布と上記研磨レート分布とから、上記被研磨膜の研磨後の予測膜厚分布を算出するステップ(c)と、上記予測膜厚分布と上記目標膜厚分布とから、上記被研磨膜の複数の領域のそれぞれにおける研磨パッドに対する圧力および研磨時間を算出するステップ(d)と、上記研磨時間の間に、上記圧力を上記被研磨膜に加圧しながら研磨するステップ(e)と、を含む研磨方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04 ,  B24B 49/02

FI (7件)：

H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 S ,  B24B 37/00 B ,  B24B 37/04 E ,  B24B 37/04 K ,  B24B 49/02 Z

Fターム (13件)：

3C034AA19 ,  3C034BB71 ,  3C034BB91 ,  3C034CA01 ,  3C034CB11 ,  3C034DD10 ,  3C058AA07 ,  3C058AB04 ,  3C058AC01 ,  3C058BC01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17