半導体ウェーハーの研磨方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-012869
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221059
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】コロイダルシリカで半導体ウェーハーを鏡面状にまで研磨する方法において、研磨速度を著しく向上せしめる如き研磨剤及び方法を提供すること。【構成】 0.3〜0.8 の短径/長径と7〜1000 nm の長径を有する歪な形状を有するコロイダルシリカからなる研磨剤で半導体ウェーハーを研磨する方法。

請求項（抜粋）：