特許
J-GLOBAL ID：200903003244152249
半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉蟲 久五郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041976
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218400
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 サイリスタ及び静電誘導サイリスタ等の半導体素子は、高耐電圧化されるに伴ってオン特性が低下するが適用回路方式によっては、オン特性の改善が重要である。【構成】 静電誘導サイリスタの製造における半導体接合の形成工程の最後に、pエミッタ領域の表面に格子状または網目状のリン拡散領域を形成する。リン拡散処理において、半導体基板中の重金属がゲッタリングされる効果により、キャリアライフタイムが増大しひいてはオン特性が改善される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一方の主表面にnエミッタ領域を、他方の主表面にpエミッタ領域を有する半導体素子構造において、pエミッタ領域の表面部分にリン拡散領域が選択的に形成されたことを特徴とする半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 29/74
, H01L 21/322
, H01L 29/02
, H01L 29/804
