特許
J-GLOBAL ID：200903003251715232

多結晶シリコン及びその製造方法

発明者：
落合 三二

落合 三二 について


出願人/特許権者：
住友チタニウム株式会社

住友チタニウム株式会社 について


代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-109460
公開番号（公開出願番号）：特開2003-306321
出願日： 2002年04月11日
公開日（公表日）： 2003年10月28日
要約：
【要約】【課題】 CZ法によるシリコン単結晶の製造に追チャージ原料として使用するための機械加工における加工割れを防止できる多結晶シリコンを簡単かつ経済的に製造する。【解決手段】 シーメンス法によりクロルシラン類を用いて多結晶シリコンを製造する。反応炉10内に組み込まれた種芯20へ通電を開始するときの炉内ガス中の酸素濃度を50ppm以下にする。炉内に原料ガスを供給してシリコンを析出させ始めるときの種芯20の表面温度を1100〜1250°Cとする。製造された多結晶シリコンの芯付き状態が良好となる。その多結晶シリコンの横断面に対して、50%フッ化水素水溶液と70%硝酸水溶液との比率が1:50の混酸溶液により15μmのエッチング処理を行ったとき、種芯部分と析出シリコン部分との境界部分におけるエッチング深さが200μm以下となる。このエッチング深さにより、多結晶シリコンの芯付き状態の良好なことが評価される。
請求項（抜粋）：
シーメンス法によりクロルシラン類を用いて製造された多結晶シリコンであり、その横断面に対して50%フッ化水素水溶液と70%硝酸水溶液との比率が1:50の混酸溶液により15μmのエッチング処理を行ったときの、種芯部分と析出シリコン部分との境界部分におけるエッチング深さが200μm以下となる多結晶シリコン。
IPC (2件)：
C01B 33/035 ,  C30B 29/06
FI (2件)：
C01B 33/035 ,  C30B 29/06 D
Fターム (13件)：
4G072AA01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072HH09 ,  4G072MM01 ,  4G072NN14 ,  4G072RR11 ,  4G072UU01 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EC03 ,  4G077HA12
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 特開昭55-015999
  • 特開昭59-115739
  • 特開昭47-025015
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • 「半導体工業におけるガス利用技術と作業環境の安全衛生管理技術資料集成」, 19821101, 第149頁

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