特許
J-GLOBAL ID:200903003253182860

酸化物あるいは複合酸化物の薄膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-077222
公開番号(公開出願番号):特開平6-287757
出願日: 1993年04月02日
公開日(公表日): 1994年10月11日
要約:
【要約】【目的】 チタニウムあるいジルコニウムのアルコキシド化合物を原料ガスとして用いるCVDにおいて、当該アルコキシド化合物と酸素ガスを混合して電子サイクロトン共鳴プラズマ化した酸化性反応ガスと反応させることによって、低温で高品質な薄膜を製造する方法を提供する。【構成】 化学的気相堆積法による薄膜形成方法であって、少なくとも原料ガスとしてのチタニウムあるいはジルコニウムの揮発性アルコキシド化合物あるいは両揮発性化合物の混合物を含むキャリアガスおよび酸素ガスを混合して基板上に供給し、アルゴン等の不活性ガスあるいは酸素ガス、亜酸化窒素ガス等の酸化性ガスの混合ガスを電子サイクロトロン共鳴プラズマ化して当該原料アルコキシド化合物を含むキャリアガスおよび酸素ガスの混合ガスと合流反応せしめる手段を有することを特徴とするチタニウム、ジルコニウム、あるいは両者を含む酸化物あるいは複合酸化物の薄膜の製造方法。
請求項(抜粋):
化学的気相堆積法による薄膜形成方法であって、少なくとも原料ガスとしてのチタニウムあるいはジルコニウムの揮発性アルコキシド化合物あるいは両揮発性化合物の混合物を含むキャリアガスおよび酸素ガスを混合して基板上に供給し、アルゴン等の不活性ガスあるいは酸素ガス、亜酸化窒素ガス等の酸化性ガスの混合ガスを電子サイクロトロン共鳴プラズマ化して当該原料アルコキシド化合物を含むキャリアガスおよび酸素ガスの混合ガスと合流反応せしめる手段を有することを特徴とするチタニウム、ジルコニウム、あるいは両者を含む酸化物あるいは複合酸化物の薄膜の製造方法。
IPC (5件):
C23C 16/40 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平2-156503

前のページに戻る