特許

J-GLOBAL ID：200903003254127170

ハイブリッドIC用基板の製造方法

発明者： 小林 孝行
出願人/特許権者： 株式会社明電舎
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-000146
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186371
出願日： 1995年01月05日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 特殊な印刷機を使用することなく、基板両面の導体間の導通路を適確に形成できるハイブリッドIC用基板の製造方法を提供する。【構成】 セラミック基板1に導通用穴2をあけ、一面に穴2の一部を残すように導電ペースト3Aを印刷し、焼成を行って導体を形成する。次に、他の面に導電ペースト3Bを印刷し、焼成を行って導体を形成する。他面の導電ペースト印刷時に、先の印刷時に残した穴2の一部が空気の逃げ道となるため、空気溜まりがなくなり、基板両面の導体間の導通が確保される。

請求項１：

セラミック基板に導通用穴を設け、基板の両面に導電ペーストを印刷して、両面の導体間に導通路を形成するハイブリッドIC用基板の製造方法において、少なくとも先に印刷する面には穴の一部を残して導電ペーストを印刷し、この後、他の面に導電ペーストを印刷して両面の導体間に導通路を形成することを特徴とするハイブリッドIC用基板の製造方法。