特許
J-GLOBAL ID：200903003257842546
化学気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281799
公開番号（公開出願番号）：特開平5-117859
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：
【要約】【目的】 フェースダウン方式の枚葉式CVD装置であって、特にサセプタ面から成膜後の被成長ウエーハをフェースダウンの状態で直接受け取るウエーハ冷却治具に関し、膜成長が完了し成長温度に保持されている被成長ウエーハをフェースダウン状態で受け取った際、被成長膜にクラックが発生するのを防止することを目的とする。【構成】 成長温度に加熱されたサセプタ8の下面から、下面に膜成長9を行った被成長ウエーハ1を、該膜成長面を下方に向けたまま該膜成長面の周縁部で支持して直に受取り該被成長ウエーハ1の冷却を行うウエーハ冷却治具6に加熱手段5を具備せしめ、該ウエーハ冷却治具6の温度を膜成長温度と室温との中間の温度に維持するように構成する。
請求項（抜粋）：
フェースダウン方式の枚葉式化学気相成長装置であって、成長温度に加熱されたサセプタの下面から下面に膜成長を行った被成長ウエーハを、該膜成長面を下方に向けたまま該膜成長面の周縁部で支持して直に受取り該被成長ウエーハの冷却を行うウエーハ冷却治具を有し、且つ該ウエーハ冷却治具の加熱手段を該ウエーハ冷却治具の内部若しくは外部に設けてなり、該ウエーハ冷却治具の温度を膜成長温度と室温との中間の温度に維持することを特徴とする化学気相成長装置。
IPC (5件)：
C23C 16/44
, C30B 25/10
, C30B 25/12
, H01L 21/31
, C23C 14/50
