特許
J-GLOBAL ID：200903003258269149
非線形素子の製造方法、および電気光学装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-311405
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123418
出願日： 2005年10月26日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】下電極の側面を素子部として利用した非線形素子の素子特性のばらつきを解消可能な非線形素子の製造方法、および電気光学装置を提供すること。【解決手段】非線形素子を製造するにあたって、下電極形成工程ST102においてマスクスパッタ法により島状のタンタル膜からなる下電極13を例えば100〜150nm程度の厚さで形成した後、第1の絶縁膜形成工程ST103においてマスクスパッタ法により、下電極13の上面にタンタル酸化物からなる第1の絶縁膜17を例えば50〜150nm程度の厚さで形成する。次に、第2の絶縁膜形成工程ST104において、気相酸化法により、下電極13の側面132に第1の絶縁膜17より薄い第2の絶縁膜14を形成した後、上電極15a、15bを形成する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
下電極、該下電極の表面側を覆う絶縁膜、および該絶縁膜を介して前記下電極の上面および側面に対向する上電極を有する非線形素子の製造方法において、
前記下電極をマスクスパッタ法で形成する下電極形成工程と、
前記下電極の上面に第1の絶縁膜をマスクスパッタ法により形成する第1の絶縁膜形成工程と、
前記下電極の側面に前記第1の絶縁膜よりも膜厚の薄い第2の絶縁膜を形成する第2の絶縁膜形成工程と、
前記上電極を形成する上電極形成工程と
を有していることを特徴とする非線形素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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