特許
J-GLOBAL ID：200903003259796975
プラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055408
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283207
出願日： 1987年10月14日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】被エッチング材を実質的に異方性エッチングする。【構成】被エッチング材と反応する成分および堆積膜を形成する成分を有するとともに臨界電位を有するエッチング処理ガスを減圧下でプラズマ化し、被エッチング材に向けてプラズマ中のイオンを加速させる加速電圧を臨界電位をはさんで変化させ、被エッチング材に対しエッチングと膜形成とを交互に繰り返す工程とを有し、エッチングの作用時間は被エッチング材に生じるアンダーカットが許容値内に入る時間とし、膜形成の作用時間は次のエッチング処理の間にエッチング側面に形成した膜が保護膜として残り得るだけの膜厚を形成する時間とする。
請求項（抜粋）：
被エッチング材と反応する成分および堆積膜を形成する成分を有するとともに臨界電位を有するエッチング処理ガスを減圧下でプラズマ化する工程と、前記被エッチング材に向けて前記プラズマ中のイオンを加速させる加速電圧を前記臨界電位をはさんで変化させ、前記被エッチング材に対しエッチングと膜形成とを交互に繰り返す工程とを有し、前記エッチングの作用時間は前記被エッチング材に生じるアンダーカットが許容値内に入る時間とし、前記膜形成の作用時間は次のエッチング処理の間にエッチング側面に形成した膜が保護膜として残り得るだけの膜厚を形成する時間として、前記被エッチング材を実質的に異方性エッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 J
, H01L 21/302 B
