半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾川秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-356969
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175344
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】ローディング効果により接続孔の深さに差異が生じることを防止する。【構成】選択的エッチングにより層間絶縁膜に、接続孔と共にダミー接続孔を形成する。【効果】ダミー接続孔を設けることによって各部におけるその面積に対するエッチングすべき面積の比の均一化を図ることができるのでローディング効果の軽減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜に選択的エッチングにより該層間絶縁膜の下側の下層配線層の表面を露出させる接続孔を形成し、その後、該接続孔にて上記下層配線層と接続される上層配線層を形成する半導体装置の製造方法において、上記選択的エッチングにより接続孔と共にダミー接続孔を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法

IPC (3件)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 , H01L 21/302

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