特許
J-GLOBAL ID：200903003269220460
薄膜半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228577
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077481
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 配線抵抗の増大や配線部のひび割れ・欠陥等が生じない信頼性の高い薄膜半導体装置。【構成】 基板と、該基板上に形成された薄膜半導体からなるチャネル部およびソース・ドレイン部と、薄膜半導体上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有する薄膜半導体装置において、ゲート電極が下層の多結晶珪素薄膜と上層の薄膜金属珪化物の二層構造からなり、かつゲート電極の線幅が 20 μm以下およびシート抵抗が 15 Ω/□以下である。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成された薄膜半導体からなるチャネル部およびソース・ドレイン部と、前記薄膜半導体上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有する薄膜半導体装置において、前記ゲート電極が下層の多結晶珪素薄膜と上層の薄膜金属珪化物の二層構造からなり、かつ前記ゲート電極の線幅が 20 μm以下およびシート抵抗が 15 Ω/□以下であることを特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/784
, G02F 1/133
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
