特許

J-GLOBAL ID：200903003270632585

超伝導体に外装されているシースの除去方法

発明者： 高 景海 ,  唐 宏怡
出願人/特許権者： ナショナル・サイエンス・カウンシル
代理人 (1件)： 岡田 英彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-264351
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115634
出願日： 1995年10月12日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 超伝導体に外装されているシースの新規な除去方法を開発する。【解決手段】 シースの除去方法は、銀系の材料で形成された除去されるべきシース上にビスマス系又は鉛系の金属材を配置する段階と、そのビスマス系又は鉛系の金属材を250°C〜450°Cまで加熱して銀系の材料で形成されたシースを融解させる段階と、融解状態にある銀系の材料で形成されたシースを除去する段階とを含む。

請求項（抜粋）：

超伝導体に外装されている非超伝導性の銀系の材料で形成されたシースの除去方法であって、(a) 銀系の材料で形成されたシース上にビスマス系又は鉛系の金属材を配置する段階と、(b) ビスマス系又は鉛系の金属材を250°C〜450°Cまで加熱して銀系の材料で形成されたシースを融解させる段階と、(c) 融解状態にある銀系の材料で形成されたシースを除去する段階と、を含むシースの除去方法。

IPC (3件)：

H01R 43/00 ,  H01B 12/02 ZAA ,  H01B 13/00 565

FI (3件)：

H01R 43/00 Z ,  H01B 12/02 ZAA ,  H01B 13/00 565 D