SOI基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-134118
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330414
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 SOI基板の製造において、深さ数十nmオーダーのSi活性層を均一な厚さに再現性良く形成する。【構成】 Si基板1に溝部1bを形成するためのエッチングを、通常はSiOx膜の異方性エッチングを行う条件、すなわちc-C4 F8 ,CHF3 等の堆積性ガスを用いてイオン・スパッタ作用を強めた条件で行う。これにより、レジスト・マスク3からSi基板1への汚染拡散防止用にSiOx下地膜2が介在されている場合、あるいはSi基板1上に自然酸化膜が成長している場合のいずれにおいても、Si基板1が露出した時点でエッチング速度が急激に低下し、目標とする溝部1bの深さを精度良く達成することができる。【効果】上記溝部1bの深さはそのままSi活性層の厚さに反映されるので、このSi活性層に形成されるデバイスの性能のばらつきが抑制される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にエッチング・マスクを形成する第1工程と、酸化シリコン系材料膜用の異方性エッチング条件にしたがってドライエッチングを行うことにより、前記シリコン基板に所定の深さを有する溝部を形成する第2工程と、前記エッチング・マスクを除去する第3工程と、前記溝部を誘電体膜で埋め込む第4工程と、前記誘電体膜の表面を平坦化する第5工程と、前記誘電体膜の平坦化面上に別の基板を貼り合わせる第6工程と、前記溝部の底面に相当する位置において前記誘電体膜が露出するまで前記シリコン基板の厚さをその裏面側から減ずることにより、該シリコン基板を島状に残す第7工程とを有するSOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/762 , H01L 21/3065 , H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/76 D , H01L 27/12 B , H01L 27/12 F , H01L 21/302 F

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