特許

J-GLOBAL ID：200903003281458889

半導体ウェーハの製造方法

発明者： 田中 恵一 ,  黒田 幸夫 ,  橋本 靖行
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-266275
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093865
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの製造方法において、高集積度対応鏡面ウェーハにも適用可能な高平坦度を確保すること。【解決手段】 半導体ウェーハの片面または両面を研磨する研磨工程S151,S152を備えた半導体ウェーハの製造方法であって、前記研磨工程は、予め直径を最終的に要求される目標直径値より大きくした前記半導体ウェーハを研磨し、前記研磨工程後に、前記半導体ウェーハの直径が前記目標直径値になるまで半導体ウェーハの面取り面に面取り加工を施す研磨後面取り工程S16を有する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの片面または両面を研磨する研磨工程を備えた半導体ウェーハの製造方法であって、前記研磨工程は、予め直径を最終的に要求される目標直径値より大きくした前記半導体ウェーハを研磨し、前記研磨工程後に、前記半導体ウェーハの直径が前記目標直径値になるまで半導体ウェーハの面取り面に面取り加工を施す研磨後面取り工程を有することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 601 ,  H01L 21/304 622 ,  B23K 10/00 501

FI (3件)：

H01L 21/304 601 B ,  H01L 21/304 622 P ,  B23K 10/00 501 Z

Fターム (3件)：

4E001AA05 ,  4E001BA04 ,  4E001CC04