特許
J-GLOBAL ID：200903003282023827
フォトマスク及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-265583
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111855
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】従来、半導体基板にしきい値の異なるMOSトランジスタを形成しようとすると、半導体基板の異なる領域に異なる基板濃度を実現するために、それぞれの異なる領域ごとに、それぞれ別の工程で別のフォトマスクを用いてイオン注入していた為に、製造工程が長く、コスト高となっていた。【解決手段】イオン注入面積が大きく異なるマスクパターンを有するフォトマスク1を用いて、高濃度Pウェル領域17となる領域にはフォトレジスト14のない開口部15を、低濃度Pウェル領域18となる領域にはスリット状にフォトレジストの残った開口部16を設け、イオン注入することにより、工程短縮、チップのコスト低減が図れる。
請求項（抜粋）：
マスク板面上に、所定の大きさの開口部となる第1光透過領域と、この第1光透過領域よりも小さい光透過領域で、開口部が規則的に繰り返される小さい複数の開口部から成る第2光透過領域とのパターンを有することを特徴とするフォトマスク。
IPC (4件)：
H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 21/266
, H01L 21/027
H01L 27/08 102 A
, H01L 21/265 M
, H01L 21/30 502 P
