特許

J-GLOBAL ID：200903003293324918

半導体装置の製造方法および基板処理装置

発明者： 井ノ口 泰啓 ,  森谷 敦 ,  小川 泰広
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-109522
公開番号（公開出願番号）：特開2009-177202
出願日： 2009年04月28日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：

【課題】低温での選択成長が可能な半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】少なくともシリコン面と絶縁膜面とを表面に有する基板を処理室内に載置し、前記処理室の外側に配置された加熱手段により前記処理室内の雰囲気および前記基板を加熱する基板処理装置を用いて、前記シリコン面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、前記処理室内に前記基板を搬入する基板搬入工程と、前記処理室内にジクロロシランガスと水素ガスとを供給して、前記シリコン表面にシリコン単結晶膜を選択的に形成する第一のエピタキシャル成長工程と、前記第一のエピタキシャル成長工程の後に、前記処理室内に前記ジクロロシランガスと前記水素ガスと塩素系ガスとを供給して前記シリコン単結晶膜の上にシリコン単結晶膜を形成する第二のエピタキシャル成長工程と、前記処理室外へ前記基板を搬出する基板搬出工程と、を含む。【選択図】 図3

請求項１：

少なくともシリコン面と絶縁膜面とを表面に有する基板を処理室内に載置し、前記処理室の外側に配置された加熱手段により前記処理室内の雰囲気および前記基板を加熱する基板処理装置を用いて、前記シリコン面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、 前記処理室内に前記基板を搬入する基板搬入工程と、 前記処理室内にジクロロシランガスと水素ガスとを供給して、前記シリコン表面にシリコン単結晶膜を選択的に形成する第一のエピタキシャル成長工程と、 前記第一のエピタキシャル成長工程の後に、前記処理室内に前記ジクロロシランガスと前記水素ガスと塩素系ガスとを供給して前記シリコン単結晶膜の上にシリコン単結晶膜を形成する第二のエピタキシャル成長工程と、 前記処理室外へ前記基板を搬出する基板搬出工程と、 を含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/04 ,  C23C 16/24

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24

Fターム (19件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA05 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030GA06 ,  4K030KA03 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045DB02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 酸化シリコン薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-210595   出願人：シャープ株式会社
• 半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-187555   出願人：株式会社日立国際電気
• SOIウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-025868   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-054629   出願人：株式会社東芝