半導体スイッチング素子駆動回路

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-027323
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345688
出願日： 2001年02月02日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】瞬間的に増大する過電流を制御でき、かつ半導体スイッチング素子の高速遮断ができるようにする。【解決手段】コレクタ電流Icがi1より大きくなると、ゲート端子4aの電圧を瞬時に低減させる過電流制限回路10と、コレクタ電流Icがi2より大きくなると、まず、コレクタ電流Icを第1の傾きで低下させ、その後、コレクタ電流Icがi3より小さくなると急な第2の傾きで低下させる過電流保護回路20とを備える。これにより、比較的短期間の過電流に対しては過電流制限回路10にてゲート電圧を瞬時に低減ができる。また、比較的長期間の過電流に対しては過電圧保護回路20にて、電流変動による跳ね上がり電圧を防止しつつIGBT4の高速遮断を行なえる。さらに、過電流が発生してからの時間に関係なくコレクタ電流Icがi3より小さくなったときにIGBT4を遮断しているため、過電流が一定時間必ず流れることも防止できる。

請求項（抜粋）：

ゲート端子(4a)と第1端子(4b)及び第2端子(4c)を有し、ゲート端子への電圧印加により前記第1、第2端子間に主電流を流す半導体スイッチング素子(4)と、前記主電流が所定時間以上の間所定電流値(i2)を超えるような過電流となる場合に、まず、該主電流を第1の傾斜で低下させ、その後、該主電流を前記第1の傾斜よりも急な第2の傾斜で低下させる過電流保護回路(20)と、前記主電流が前記所定時間よりも短時間で前記過電流よりもさらに大きな過電流となる場合に、前記ゲート端子の電圧を瞬時に低減させる過電流制限回路(10)と、を備えていることを特徴とする半導体スイッチング素子駆動回路。

IPC (8件)：

H03K 17/08 , H02H 3/08 , H02H 3/087 , H02H 7/00 , H02H 7/20 , H02M 1/00 , H02M 7/48 , H02M 7/5387

FI (8件)：

H03K 17/08 Z , H02H 3/08 T , H02H 3/087 , H02H 7/00 B , H02H 7/20 D , H02M 1/00 H , H02M 7/48 M , H02M 7/5387 Z

Fターム (63件)：

5G004AA04 , 5G004AB02 , 5G004BA03 , 5G004BA04 , 5G004CA05 , 5G004DA02 , 5G004DC01 , 5G004DC04 , 5G004DC07 , 5G004EA01 , 5G053AA01 , 5G053AA02 , 5G053BA01 , 5G053BA04 , 5G053CA02 , 5G053DA02 , 5G053EB01 , 5G053EC03 , 5G053FA04 , 5H007AA06 , 5H007AA17 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CB04 , 5H007CB05 , 5H007CC23 , 5H007DA05 , 5H007DB03 , 5H007DC02 , 5H007FA03 , 5H007FA13 , 5H007FA18 , 5H740AA03 , 5H740BA13 , 5H740BB01 , 5H740BB05 , 5H740BB07 , 5H740BB09 , 5H740KK01 , 5H740LL05 , 5H740MM11 , 5H740NN17 , 5J055AX34 , 5J055AX55 , 5J055AX64 , 5J055BX16 , 5J055CX20 , 5J055DX09 , 5J055DX55 , 5J055EX06 , 5J055EX12 , 5J055EX22 , 5J055EY01 , 5J055EY17 , 5J055EZ25 , 5J055EZ31 , 5J055EZ50 , 5J055FX12 , 5J055FX17 , 5J055FX32 , 5J055FX36 , 5J055GX01 , 5J055GX04

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