特許
J-GLOBAL ID：200903003298411568
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-317844
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152311
出願日： 1991年12月02日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 チャンバー内の温度変化が大きい場合にも適切にチャンバー倍の温度を制御できるようにする。【構成】 ヒーター熱電対4は石英チューブ3を加熱するゾーンヒーター1の温度を検出する。内部熱電対5は石英チューブ3内の温度を検出する。温度制御装置9は、ヒーター熱電対4が検出するゾーンヒーター1の温度と内部熱電対5が検出する石英チューブ3内の温度とを入力変数としてレシオミックス係数を決定し、該レシオミックス係数とゾーンヒーター1の温度と石英チューブ3内の温度とから演算検出温度を演算し、該演算検出温度が設定温度になるように電力供給装置2からゾーンヒーター1に供給される電力量を制御する。
請求項（抜粋）：
チャンバーを加熱するヒーター部の温度であるヒーター部温度を検出するヒーター部温度検出工程と、前記チャンバー内の温度であるチャンバー内温度を検出するチャンバー内温度検出工程と、前記ヒーター部温度検出工程で検出されたヒーター部温度と前記チャンバー内温度検出工程で検出されたチャンバー内温度とこれらヒーター部温度及びチャンバー内温度の寄与率を決定するレシオミックス係数とから演算検出温度を演算する演算工程と、該演算検出温度が設定温度になるように前記ヒーター部に供給される電力量を制御する制御工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記演算工程の前に、前記ヒーター部温度検出工程で検出されたヒーター部温度及び前記チャンバー内温度検出工程で検出されたチャンバー内温度に基づきファジー推論によって前記レシオミックス係数を決定するファジー推論工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/324
, F27B 17/00
, G05B 13/02
, G05D 23/19
, C23C 14/54
