特許
J-GLOBAL ID：200903003299243936
半導体加工装置および半導体評価装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-019120
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217984
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板表面の加工を安価に、かつスピーディーに行う半導体加工装置を得る。【構成】 半導体基板1表面の加工したい部分のみ、エッチング液,および洗浄用の純水,乾燥用の不活性ガスを供給できるようにした加工プローブ7を有し、この加工プローブ7に溶液注入管3を通して溶液類を供給する溶液類供給装置5と、溶液排出管4を通して排出する溶液類排出装置6を有し、かつ半導体基板1を自在に移動できる移動ステージ8およびその駆動部9から構成され、さらにこれらを電気的に結合し、一連の動作をスムーズに実行させるコントローラ10とからなることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体基板を自在に移動できる移動ステージと;前記半導体基板表面の加工部分のみにエッチング液,洗浄用の純水,および乾燥用の不活性ガス等の溶液類を収容する溶液封入器と;この溶液封入器に前記エッチング液,洗浄用の純水,および乾燥用の不活性ガスを注入する溶液注入管と;前記溶液封入器内に注入された溶液類を一定の量にするための溶液排出管とからなる加工プローブと;前記溶液注入管を介して前記溶液類を供給する溶液類供給装置と;前記溶液排出管を介して前記溶液類を排出する溶液類排出装置と;これらの一連の動作をコントロールするコントローラと;からなることを特徴とする半導体加工装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/306
, H01L 21/66
