特許

J-GLOBAL ID：200903003300046457

ナノ粒子の分散方法及びこれを用いたナノ粒子薄膜の製造方法

発明者： 崔 誠 宰 ,  崔 在 榮 ,  張 銀 珠 ,  ブリアード ザビエル ,  康 愉 珍 ,  車 國 憲 ,  ▲はい▼ 完 基
出願人/特許権者： 三星電子株式会社 ,  財団法人ソウル大学校産学協力財団
代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-240955
公開番号（公開出願番号）：特開2008-111187
出願日： 2007年09月18日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：

【課題】ナノ粒子の分散方法及びこれを用いたナノ粒子薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】ナノ粒子表面を改質してナノ粒子が電荷を帯びるようにし、該電荷を帯びるナノ粒子と基板間の静電気的な引力、及び該ナノ粒子同士間の反発力をpH調節によってナノ粒子の配列密度を制御し、ナノ粒子が単一膜として配列される過程で静電気的な力の他に毛管力を加えることによって高密度の均一な単一膜を大面積で得るナノ粒子薄膜の製造方法。 ナノ粒子の低い配列密度、大面積均一性及び粒子凝集の問題を克服し、大面積で均一に塗布された高密度のナノ粒子単一膜を形成でき、これを、フラッシュメモリ、DRAM、ハードディスク、発光素子及びOLED等の様々な分野に効果的に適用可能になる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

(a)ナノ粒子の表面が電荷を帯びるようにナノ粒子の表面を改質する段階と、 (b)前記表面改質されたナノ粒子を溶媒に分散させ、ナノ粒子の分散した溶液のpHを調節する段階と、 を含む、ナノ粒子の分散方法。

IPC (9件)：

B22F 1/02 ,  B82B 3/00 ,  C01B 13/14 ,  H01L 29/06 ,  G11B 5/842 ,  G11B 5/706 ,  G11B 5/712 ,  G11B 5/714 ,  B22F 9/00

FI (10件)：

B22F1/02 B ,  B82B3/00 ,  C01B13/14 A ,  H01L29/06 601N ,  G11B5/842 Z ,  G11B5/842 A ,  G11B5/706 ,  G11B5/712 ,  G11B5/714 ,  B22F9/00 B

Fターム (38件)：

4G042DA01 ,  4G042DB28 ,  4G042DC03 ,  4G042DD04 ,  4K017AA08 ,  4K017BA01 ,  4K017BA02 ,  4K017BA03 ,  4K017BA05 ,  4K017BA06 ,  4K017CA08 ,  4K017DA09 ,  4K017FB02 ,  4K018BA01 ,  4K018BA02 ,  4K018BA04 ,  4K018BA08 ,  4K018BA14 ,  4K018BB05 ,  4K018BC29 ,  4K018BD10 ,  5D006BA01 ,  5D006BA04 ,  5D006BA05 ,  5D006BA06 ,  5D006BA07 ,  5D006BA08 ,  5D006EA00 ,  5D006EA01 ,  5D112AA05 ,  5D112BB01 ,  5D112BB04 ,  5D112BB06 ,  5D112BB12 ,  5D112BB18 ,  5D112CC01 ,  5D112CC05 ,  5D112EE10