特許

J-GLOBAL ID：200903003303344645

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 長谷川 昇雄 ,  今井 彰 ,  早野 勝也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058359
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250756
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 フォトマスクの欠陥の転写を抑制または防止する。【解決手段】 フォトマスク4のパターンをスキャナを用いて半導体ウエハ上に転写する際に、フォトマスク4の異なる領域に設けられた同一のパターン構成の転写領域7A,7Bを、半導体ウエハの同一領域に重ねて露光するようにした。

請求項（抜粋）：

フォトマスクに形成された転写領域をスキャン方式の露光処理によって半導体ウエハに露光することにより、半導体ウエハ上に所定の集積回路パターンを転写する工程を有し、前記スキャン方式の露光処理においては、前記半導体ウエハの同一領域に、前記フォトマスクにおける互いに設計上同一のパターンで構成される複数の異なる転写領域を重ねて露光することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/22

FI (4件)：

G03F 1/08 D ,  G03F 7/22 H ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/30 518

Fターム (7件)：

2H095BA02 ,  2H095BB02 ,  2H095BC01 ,  5F046AA12 ,  5F046BA05 ,  5F046CB05 ,  5F046CB17