特許

J-GLOBAL ID：200903003307245579

電界放出冷陰極素子

発明者： 巻島 秀男 ,  井村 裕則
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310508
公開番号（公開出願番号）：特開平6-162919
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 エミッタ先端付近の電界強度を上げ、同一電流を放出するゲート電圧を低下させ、正イオン衝撃によるエミッタ先端の機械的変形を低減して、放出電流の安定化を図り、陰極の長寿命化を図り、放出電流を制御するゲート電極駆動回路の負荷を軽減する。【構成】 基板1とゲート電極5との間の絶縁層3,4を誘電率の異なる少なくとも2層構造とし、基板1側に誘電率の小さい材料を、ゲート電極5側に誘電率の大きい材料を使用する。

請求項（抜粋）：

基板と、電子放出電極と、絶縁層と、制御電極とを有する電界放出冷陰極素子であって、基板は、導電性をもつ基板、或いは絶縁性材料上に導電層を積層した基板であり、電子放出電極は、前記基板上に錐状に立上って形成され、かつ基板に電気的に接続されたものであり、絶縁層は、電子放出電極の周囲を取囲み、誘電率の異なる多層に形成され、前記基板に近い絶縁層の誘電率は、他の絶縁層のものより小さいものであり、制御電極は、絶縁層上に積層形成され、前記電子放出電極を取囲む開口を有するものであることを特徴とする電界放出冷陰極素子。