特許
J-GLOBAL ID：200903003313273886
半導体発光素子、半導体発光素子アレー、光学検知装置、光学的情報処理装置および発光装置。
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244281
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069540
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 電流狭窄構造を有し、しかも、素子の同一方向にp側電極及びn側電極が設けられた半導体発光素子を提供する。【構成】 p型基板1上にp型下部クラッド層2、活性層3、n型上部クラッド層4、p型電流ブロック層5およびn型キャップ層6を積層する。このウエハ14の一部領域に上部クラッド層4に達する深さのn型電流通路領域(Si拡散域)9と、下部クラッド層2に達する深さのp型電流通路領域(Zn拡散域)10を形成し、両領域10,9を分離するようにウエハ全幅にわたってアイソレート用溝11を掘り込む。アイソレート用溝11を隔ててp型電流通路領域10側にp側電極8を設け、n型電流通路領域9側にn側電極7を設け、n型電流通路領域9と対向させて基板1に光取り出し窓12を開口する。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板の上面に形成された第1導電型の下部クラッド層と、該下部クラッド層の上面に形成された活性層と、該活性層の上面に形成された第2導電型の上部クラッド層と、該上部クラッド層の上方に形成された第1導電型の電流ブロック層とを有する素子母体に、第1導電型の不純物を導入することによって、上記電流ブロック層から少なくとも上記活性層へと形成される第1の電流通路領域、第2導電型の不純物を導入することによって、上記電流ブロック層から上記上部クラッド層へと形成される第2の電流通路領域、上記電流ブロック層の上方に形成され、上記第1の電流通路領域に導電される第1の電極、および、上記電流ブロック層の上方に形成され、上記第1の電流通路領域とは絶縁され、上記第2の電流通路領域に導電される第2の電極を形成したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (5件)：
H01L 33/00
, G06K 7/10
, H01S 3/18
, H04B 10/04
, H04B 10/06
