特許
J-GLOBAL ID：200903003315058443
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-022077
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209465
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 回路特性に合わせて設計されたTFTを用いた半導体装置およびその作製方法を提供する。【解決手段】 発明の第1の構成として、特異な結晶構造体で構成なる結晶シリコン膜を用いてTFTを作製する。この結晶構造体は棒状または偏平棒状結晶が互いに平行に方向性をもって成長した構造を有している。また、第2の発明の構成として、TFTのチャネル長に応じて横成長領域の成長距離を異なるものとする。これにより1つの横成長領域内に形成されるTFTの特性をできるだけ均一化することができる。
請求項（抜粋）：
画素マトリクス回路、ドライバー回路およびロジック回路とを同一基板上に配置して構成される半導体装置において、前記画素マトリクス回路、ドライバー回路およびロジック回路は、結晶シリコン膜を活性層とし、かつ、サブスレッショルド係数が60〜100mV/decadeである複数のTFTを含み、それぞれの前記回路に含まれる前記複数のTFTのチャネル形成領域は、回路が要求する特性に応じて異なる成長距離を有する横成長領域からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
H01L 29/78 618 G
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 620
, H01L 29/78 627 F
