特許

J-GLOBAL ID：200903003319162318

パターン形成方法

発明者： 三坂 章夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (12件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-301089
公開番号（公開出願番号）：特開2006-039591
出願日： 2005年10月17日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】孤立スペースパターンと孤立ラインパターン又は密集パターンとを同時に微細化できるようにする。【解決手段】パターン形成に用いるフォトマスクにおいて、露光光に対して遮光性を有する半遮光部101と、半遮光部101により囲まれ且つ露光光に対して透光性を有する透光部102と、透光部102の周辺に位置する補助パターン(位相シフター)103とが透過性基板100上に設けられている。半遮光部101と透光部102とは露光光を互いに同位相で透過させる。補助パターンである位相シフター103は、半遮光部101及び透光部102を基準として露光光を反対位相で透過させると共に、露光により転写されない。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

フォトマスクを用いたパターン形成方法であって、 基板上にレジスト膜を形成する工程(a)と、 前記レジスト膜に対して前記フォトマスクを介して前記露光光を照射する工程(b)と、 前記露光光を照射された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程(c)とを備え、 前記フォトマスクは、 前記露光光に対して遮光性を有する半遮光部と、 前記半遮光部により囲まれ且つ前記露光光に対して透光性を有する透光部と、 前記半遮光部により囲まれ且つ前記透光部の周辺に前記半遮光部を挟んで設けられている補助パターンとを透過性基板上に備え、 前記透光部は、1辺が(0.8×λ×M)/NAの方形よりも小さく、 前記補助パターンは矩形パターンであって、その中心線は前記透光部の中心から(0.3×λ×M)/NA以上で且つ(0.5×λ×M)/NA以下の距離に位置しており、 前記半遮光部及び前記透光部は前記露光光を互いに同位相で透過させ、 前記補助パターンは、前記半遮光部及び前記透光部を基準として前記露光光を反対位相で透過させ、且つ露光により転写されないことを特徴とするパターン形成方法(但し、λは前記露光光の波長であり、M及びNAは投影露光システムの縮小投影光学系の縮小倍率及び開口数である)。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F1/08 A ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 528

Fターム (12件)：

2H095BA01 ,  2H095BB03 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  2H095BC24 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046BA08 ,  5F046CB05 ,  5F046CB17 ,  5F046CB23 ,  5F046DA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• フォトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-330998   出願人：日本電気株式会社