半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-340283
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189578
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】上記の様に、従来の層間絶縁膜による平坦化に際して、ベース絶縁膜(第一の層間絶縁膜)が上層の平坦化膜(第二の層間絶縁膜)に対するリフロー性(濡れ性)として満足すべき特性を有していない為、上層の平坦化膜の平坦度及び表面モフォロジーが悪化するという問題点が、また水分に対するブロック性に関し満足すべき特性を有していない為、下層配線の抵抗変化やコロージョン発生或いは素子のホットキャリア信頼性の問題があった。本発明ではこれらの問題を改善する新規なベース膜形成方法を提供するものである。【解決手段】半導体基板上に形成された素子や配線を被膜する平坦化膜の下層であるベース絶縁膜(第一の層間絶縁膜)の成膜後にN2 Oガスによるプラズマ処理を施し、引き続いてO2 ガスによるプラズマ処理を施す。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第一の絶縁膜を堆積する工程と、この第一の絶縁膜表面をN2 Oガスによりプラズマ処理を施す工程と、これに引き続きO2 ガスによりプラズマ処理を施す工程と、これらのプラズマ処理後に第二の絶縁膜を堆積する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/314

FI (3件)：

H01L 21/316 P , H01L 21/316 M , H01L 21/314 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-103935
特開平4-167431
特開平2-103935

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