特許
J-GLOBAL ID：200903003320776290
シリコン単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-124979
公開番号（公開出願番号）：特開2005-306653
出願日： 2004年04月21日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】大口径で抵抗率1000Ω・cm以上の高抵抗率のP型またはN型の高品質なシリコン単結晶を、デバイス製造工程で抵抗率が低下することのないFZ法により低コスト且つ高歩留まりで製造する方法を提供する。【解決手段】FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、CZ法により製造された抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン結晶棒をシリコン原料棒として、該シリコン原料棒をFZ法により抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、CZ法により製造された抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン結晶棒をシリコン原料棒として、該シリコン原料棒をFZ法により抵抗率が1000Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
C30B29/06 501A
, C30B29/06 A
, C30B29/06 D
, C30B13/04
4G077AA02
, 4G077AB06
, 4G077BA04
, 4G077CE03
, 4G077EA06
, 4G077EB01
, 4G077EB06
, 4G077EC02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077NA01
, 4G077NA05
出願人引用 (6件)
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高抵抗シリコンウエハ-の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-245152
出願人：信越化学工業株式会社, 信越半導体株式会社, 信越石英株式会社
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特公平8-10695号公報
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国際公開第00/55397号パンフレット
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審査官引用 (2件)
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