特許
J-GLOBAL ID:200903003330304566

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-355883
公開番号(公開出願番号):特開2007-165361
出願日: 2005年12月09日
公開日(公表日): 2007年06月28日
要約:
【課題】高耐圧相補型MISFETと低耐圧相補型MISFETを同一半導体基板上に形成する半導体集積回路装置のデュアルゲート化を実現する。【解決手段】高耐圧pチャネル型MISFETのしきい値電圧を調整するために行うPのイオン注入エネルギーを、高耐圧nチャネル型MISFETのしきい値電圧を調整するために行うBのイオン注入エネルギーよりも大きくする。また、pチャネル型MISFET形成領域のアンドープシリコン膜にBをイオン注入してp型シリコン膜9pに変換する際、ゲート絶縁膜8との界面近傍におけるp型シリコン膜9pのB濃度を2×1020atom/cm3以下に制御する。【選択図】図10
請求項(抜粋):
半導体基板の第1領域に低耐圧pチャネル型MISFETを形成し、前記半導体基板の第2領域に低耐圧nチャネル型MISFETを形成し、前記半導体基板の第3領域に高耐圧pチャネル型MISFETを形成し、前記半導体基板の第4領域に高耐圧nチャネル型MISFETを形成する半導体集積回路装置の製造方法であって、 (a)前記半導体基板の第1領域に前記低耐圧pチャネル型MISFETのしきい値電圧を調整するためのn型不純物を第1のエネルギーでイオン注入する工程と、 (b)前記半導体基板の第3領域に前記高耐圧pチャネル型MISFETのしきい値電圧を調整するためのn型不純物を、前記第1のエネルギーよりも大きい第3のエネルギーでイオン注入する工程と、 (c)前記半導体基板の第1および第2領域に第1ゲート絶縁膜を形成する工程と、 (d)前記半導体基板の第3および第4領域に前記第1ゲート絶縁膜よりも厚い第2ゲート絶縁膜を形成する工程と、 (e)前記半導体基板の第1領域にp型シリコン膜を含むゲート電極を有する前記低耐圧pチャネル型MISFETを形成し、前記半導体基板の第2領域にn型シリコン膜を含むゲート電極を有する前記低耐圧nチャネル型MISFETを形成し、前記半導体基板の第3領域にp型シリコン膜を含むゲート電極を有する前記高耐圧pチャネル型MISFETを形成し、前記半導体基板の第4領域にn型シリコン膜を含むゲート電極を有する前記高耐圧nチャネル型MISFETを形成する工程と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (8件):
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 27/10
FI (5件):
H01L27/08 321D ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481
Fターム (63件):
5F048AA05 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA12 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BB16 ,  5F048BB18 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP24 ,  5F083EP44 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR36 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F101BA04 ,  5F101BA14 ,  5F101BA23 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BB04 ,  5F101BB05 ,  5F101BD07 ,  5F101BD14 ,  5F101BD27 ,  5F101BD35 ,  5F101BD36 ,  5F101BH02 ,  5F101BH04 ,  5F101BH09 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15 ,  5F101BH21
引用特許:
出願人引用 (3件)

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